在半导体制造的千级洁净室里，每一粒微米级的尘埃都可能成为摧毁芯片的 “隐形杀手”。作为贯穿整个生产流程的关键设备，半导体制造用过滤器的性能直接决定着产品良率与可靠性。深圳恒歌推出的金属滤材气体过滤器，以覆盖光刻、刻蚀、沉积等全制程的防护能力，成为芯片制造过程中不可或缺的品质守护者。
光刻环节对气体纯度的要求最为严苛，哪怕是 0.01 微米的颗粒附着在光刻胶表面，都会导致曝光图案失真。恒歌为光刻气定制的过滤器采用纳米级拦截技术，通过 12 层不锈钢纤维膜的梯度过滤，可将 ArF 光刻气中的杂质颗粒控制在 0.003 微米以下，出口气体各杂质含量严格限制在 5ppb 以内。某先进制程晶圆厂的应用数据显示，使用恒歌过滤器后，其光刻工序的缺陷率降低 70%，掩模版的使用寿命延长至原来的 3 倍。
刻蚀工艺中，腐蚀性气体在高频等离子体作用下形成的活性基团，对过滤器的材质提出了极致挑战。恒歌半导体制造用过滤器采用整体 316L 不锈钢结构，从滤壳到密封面均无任何非金属材料，可耐受三氟化氯、氟化氢等强腐蚀性气体的长期侵蚀。在 13.56MHz 的等离子体环境中，其过滤效率的衰减率控制在 3% 以内，解决了传统过滤器因材料腐蚀导致的性能骤降问题，使刻蚀均匀性提升至 90% 以上。
薄膜沉积工序要求气体流量的稳定性达到 ±1%，否则会造成薄膜厚度偏差。恒歌通过优化滤芯的流体力学设计，在保证 99.999% 过滤效率的同时，将流量波动控制在 ±0.5%。在原子层沉积(ALD)工艺中，这种稳定性能确保每一层原子的精确堆叠，使薄膜的厚度均匀性达到 99%。某 MEMS 传感器厂商使用恒歌过滤器后，其薄膜的应力偏差从 50MPa 降至 10MPa 以下，产品的可靠性测试通过率提升 25%。
离子注入过程中的高温高压环境(温度 200℃，压力 5MPa)是过滤器的 “试金石”。恒歌过滤器的不锈钢滤芯经过特殊的高温时效处理，在极端条件下的结构变形量小于 0.01mm，通过 10000 小时的连续运行测试无泄漏。其内置的压力补偿装置可自动调节流量，确保注入剂量的偏差不超过 1%，有效提升了掺杂浓度的均匀性。
针对半导体制造中不同阶段的气体特性，恒歌提供差异化的过滤解决方案。在大宗气体输送环节，配置高通量的两阀过滤器满足大流量需求;在特种气体钢瓶出口，采用紧凑型三阀过滤器实现精准控制;在工艺腔室入口，则通过四阀过滤器实现在线切换与再生。这种全场景覆盖能力，使恒歌成为唯一能提供从气源到腔室完整过滤方案的供应商。
发布时间 25-08-06